SK海力士计划投资超38亿美元在韩国新建DRAM芯片生产基地
导读
4月24日消息,SK海力士计划投资3万亿韩元(36亿美元)在韩国新建DRAM芯片生产基地。(路透)
文章转载自:界面新闻网 非本站原创
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4月24日消息,SK海力士计划投资3万亿韩元(36亿美元)在韩国新建DRAM芯片生产基地。(路透)
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