研究人员发表了一篇论文，描述了将为UltraRAM的大规模生产铺平道路的进展，UltraRAM是一种很有前途的新存储技术。该报告由英国兰开斯特大学的科学家撰写，将UltraRAM称为“一种具有实现快速、超低能量电子存储潜力的非易失性存储器”。

UltraRAM将传统数据存储内存的非易失性与RAM的速度和耐用性相结合，这意味着它可以在未来作为通用内存进行部署。

正如我们的姊妹刊物Tom'sHardware所报道的那样，多年来已经进行了许多尝试来开发一种无需单独的RAM和数据存储的内存技术。

电阻式RAM、磁阻式RAM和相变存储器都无法兑现他们的承诺。而英特尔的Optane内存，一种松散可比的解决方案，也于去年从消费类PC中撤出。

然而，就性能而言，UltraRAM的早期迹象是有希望的。该报告称，内存技术提供至少1000年的数据存储时间和“比DRAM和闪存低几个数量级的开关能量”。

“一种快速且非易失性、具有高耐用性和低能量逻辑状态切换的存储器，即所谓的通用存储器，长期以来一直被认为是无法实现的，因为这种设备需要明显矛盾的物理特性，”该论文指出。

“已经取得了重大进展，新兴的存储产品在小规模或大规模的商业生产中出现，但与传统存储器一样，逻辑状态稳定性和开关能量之间的权衡仍然存在。UltraRAM通过利用InAs量子阱(QW)和AlSb势垒来创建三势垒谐振隧道(TBRT)结构，打破了这一范式。”

该技术是深奥的，但其意义在于：将RAM和存储内存的属性结合起来的能力可以在从服务器和PC到游戏机等一系列用例中获得性能优势。

该论文的作者说，进一步完善制造工艺并进行各种其他改进的工作已经在进行中，这将有望增加UltraRAM以具有竞争力的价格进入市场的可能性，从而促进快速和广泛的采用。